拉晶过程全程自动化
在惰性气体环境中,用石墨加热器将硅材料熔化,
用直拉法生长无位错单晶的设备。
性能优势
设备主体结构优化,提高了整机稳定性。
具有拉制12英寸COP FREE半导体单晶硅棒的功能。
采用新型隔离阀。
液面高度监控系统。
高精度传动机构。
双层水冷套、可升降双层水冷屏。
8英寸半导体级单晶炉 | |||
型号 | FT-CZ1200Se | ||
场所 | 周围温度 | 15~30℃ | |
周围湿度 | ≤65%(无结露,腐蚀气体) | ||
洁净度 | 10000级净空房 | ||
噪音 | ≤75db | ||
地基 | 3000kg/㎡以上 | ||
电源 | 额定电压 | 3P 380VAC±10% 50/60Hz | |
额定电容 | 320kVA | ||
额定流量 | 500A | ||
冷却水 | 流量范围 | 350~400L/min | |
供给压力 | 0.3~0.4MPa | ||
重量 | 设备高度 | <8290mm △ | |
设备重量 | 约23T |
△ 项数据视上炉筒高度而定,本设备数据不含磁场。
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