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FT-CZ1200Se

8英寸半导体级单晶炉

拉晶过程全程自动化

在惰性气体环境中,用石墨加热器将硅材料熔化,

用直拉法生长无位错单晶的设备。

 

性能优势

设备主体结构优化,提高了整机稳定性。

具有拉制12英寸COP FREE半导体单晶硅棒的功能。

采用新型隔离阀。

液面高度监控系统。

高精度传动机构。

双层水冷套、可升降双层水冷屏。

8英寸半导体级单晶炉
型号 FT-CZ1200Se
场所 周围温度 15~30℃
周围湿度 ≤65%(无结露,腐蚀气体)
洁净度 10000级净空房
噪音 ≤75db
地基 3000kg/㎡以上
电源 额定电压 3P 380VAC±10%  50/60Hz
额定电容 320kVA
额定流量 500A
冷却水 流量范围 350~400L/min
供给压力 0.3~0.4MPa
重量 设备高度                                                                       <8290mm                                                            △     
设备重量 约23T

 

 

△ 项数据视上炉筒高度而定,本设备数据不含磁场。

全国热线

021-36162928

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